FQD2N100TM, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQD2N100TM
FQD2N100TM, Транзистор
Вес и габариты
вес, г0.4
Основные
длина:6.73 mm
другие названия товара №:FQD2N100TM_NL
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 1000V N-Channel QFET
Вес и габариты
вес, г0.4
Основные
длина:6.73 mm
другие названия товара №:FQD2N100TM_NL
id - непрерывный ток утечки:1.6 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
количество каналов:1 Channel
конфигурация:Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:1.9 S
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
pd - рассеивание мощности:2.5 W
подкатегория:MOSFETs
полярность транзистора:N-Channel
производитель:ON Semiconductor
qg - заряд затвора:15.5 nC
размер фабричной упаковки:2500
rds вкл - сопротивление сток-исток:7.1 Ohms
серия:FQD2N100
ширина:6.22 mm
технология:Si
типичное время задержки при включении:13 ns
типичное время задержки выключения:25 ns
тип:MOSFET
тип продукта:MOSFET
тип транзистора:1 N-Channel
торговая марка:ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок:TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:1 kV
vgs - напряжение затвор-исток:- 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3 V
вид монтажа:SMD/SMT
время нарастания:30 ns
время спада:35 ns
высота:2.39 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль