FQD13N06LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7А, 28Вт, DPAK, QFET®

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQD13N06LTM
Основные
вес, г1.5
package / caseTO-252-3
typeMOSFET
minimum operating temperature-55 C
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г1.5
package / caseTO-252-3
typeMOSFET
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity2500
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesFQD13N06L
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time40 ns
rise time90 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
part # aliasesFQD13N06LTM_NL
technologySi
pd - power dissipation2.5 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance115 mOhms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage60 V
vgs - gate-source voltage20 V
id - continuous drain current11 A
typical turn-on delay time8 ns
typical turn-off delay time20 ns
forward transconductance - min6 S
transistor type1 N-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль