FQB5N50CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 73Вт, D2PAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQB5N50CTM
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Основные
вес, г1.66
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Основные
вес, г1.66
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки800
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
серияFQB5N50C
длина10.67 mm
время нарастания46 ns
время спада48 ns
коммерческое обозначениеQFET
pd - рассеивание мощности73 W
другие названия товара №FQB5N50CTM_NL
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5 A
rds вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.2 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Высота 4.83 мм
ТипMOSFET
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль