FQAF16N50, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,15А, 110Вт, TO3PF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQAF16N50
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V N-Channel QFET
Основные
вес, г5.68
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
980
+
Бонус: 19.6 !
Бонусная программа
Итого: 980
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V N-Channel QFET
Основные
вес, г5.68
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки360
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PF-3
серияFQAF16N50
длина15.7 mm
время нарастания180 ns
время спада100 ns
коммерческое обозначениеQFET
pd - рассеивание мощности110 W
другие названия товара №FQAF16N50_NL
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки11.3 A
qg - заряд затвора75 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения130 ns
типичное время задержки при включении45 ns
Высота 26.7 мм
ТипMOSFET
Ширина5.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль