FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQA70N10
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Основные
вес, г5.14
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
690
+
Бонус: 13.8 !
Бонусная программа
Итого: 690
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Основные
вес, г5.14
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN-3
серияFQA70N10
длина16.2 mm
время нарастания470 ns
время спада160 ns
коммерческое обозначениеQFET
pd - рассеивание мощности214 W
другие названия товара №FQA70N10_NL
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки70 A
rds вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.48 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения130 ns
типичное время задержки при включении30 ns
Высота 20.1 мм
ТипMOSFET
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль