FDPF12N50T, Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDPF12N50T
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 500V N-Channel
| Основные | |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | FDPF12N50T |
| длина | 10.36 mm |
| время нарастания | 50 ns |
| время спада | 30 ns |
| pd - рассеивание мощности | 165 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| id - непрерывный ток утечки | 6.9 A |
| qg - заряд затвора | 30 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 45 ns |
| типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Высота | 16.07 мм |
| Ширина | 4.9 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]](/wa-data/public/shop/products/20/76/27620/images/38306/38306.300x0.jpg "IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]")
