FDMS86163P, MOSFET, Single - P-Channel, -100V, -50A, PQFN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:FDMS86163P
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Voltage RegulatorsPowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.
Основные
вес, г
10
mounting type
Surface Mount
package type
PQFN8
minimum operating temperature
-55 C
width
5.85mm
pin count
8
maximum operating temperature
+150 C
series
PowerTrench
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
P
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
100 V
maximum gate source voltage
-25 V, +25 V
maximum continuous drain current
7.9 A
transistor material
Si
maximum drain source resistance
36 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
2V
maximum power dissipation
104 W
typical gate charge @ vgs
42 nC 10 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26