FDD6N25TM, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDD6N25TM
FDD6N25TM, Транзистор
ON Semiconductor
Вес и габариты
вес, г0.907
Высота 2.39 мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
Основные
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
вес, г0.907
Высота 2.39 мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
Основные
число контактов3
длина6.73мм
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток250 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности50 W
максимальное сопротивление сток-исток1.1 Ω
максимальный непрерывный ток стока4.4 A
материал транзистораКремний
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
номер каналаПоднятие
размеры6.73 x 6.22 x 2.39мм
серияUniFET
типичная входная емкость при vds194 пФ при 25 В
типичное время задержки включения10 нс
типичное время задержки выключения7 ns
типичный заряд затвора при vgs4,5 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаDPAK (TO-252)
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль