FDB52N20TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 52А, 357Вт, D2PAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDB52N20TM
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 200V N-Ch МОП-транзистор
Основные
вес, г1.73
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 200V N-Ch МОП-транзистор
Основные
вес, г1.73
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки800
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
серияFDB52N20
длина10.67 mm
время нарастания160 ns
время спада150 ns
pd - рассеивание мощности250 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки52 A
qg - заряд затвора63 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток49 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.35 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения150 ns
типичное время задержки при включении30 ns
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль