DMN90H8D5HCT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN90H8D5HCT
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 900V 2.5A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г0.5
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 900V 2.5A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г0.5
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device packageTO-220AB
base product numberDMN90 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)900V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs7.9nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds470pF @ 25V
power dissipation (max)125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs7Ohm @ 1A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль