DMN67D8L-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN67D8L-7
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 60 В 210 мА (Ta) 340 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 60 В 210 мА (Ta) 340 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-23
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity3000
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
mounting styleSMD/SMT
packagingCut Tape or Reel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
seriesDMN67
subcategoryMOSFETs
base product numberDMN67 ->
configurationSingle
fall time5.6 ns
rise time3 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
pd - power dissipation340 mW
channel modeEnhancement
current - continuous drain (id) @ 25в°c210mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs0.82nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds22pF @ 25V
power dissipation (max)340mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs5Ohm @ 500mA, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
rds on - drain-source resistance1.5 Ohms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage60 V
vgs - gate-source voltage30 V
id - continuous drain current210 mA
typical turn-on delay time2.8 ns
typical turn-off delay time7.6 ns
forward transconductance - min80 mS
qg - gate charge821 pC
transistor type1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль