DMN6068SE-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 4,5А, 2Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN6068SE-13
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...
Основные
вес, г1
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Основные
вес, г1
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:DMN6068
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape
Вес и габариты
package/case:SOT-223-3
pd - power dissipation:2 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
rds on - drain-source resistance68mО© @ 12A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c4.1A
power dissipation-max (ta=25в°c)2W
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:5.6 A
qg - gate charge:10.3 nC
rds on - drain-source resistance:68 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:60 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
typical turn-off delay time:11.9 ns
typical turn-on delay time:3.6 ns
forward transconductance - min:19.7 S
fall time:8.7 ns
rise time:10.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль