DMN2005LPK-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,44А, 0,45Вт, DFN1006-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN2005LPK-7
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 20 В 440 мА (Ta) 450 мВт (Ta) Поверхностный монтаж 3-X1DFN1006
Основные
вес, г0.02
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
36
+
Бонус: 0.72 !
Бонусная программа
Итого: 36
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 20 В 440 мА (Ta) 450 мВт (Ta) Поверхностный монтаж 3-X1DFN1006
Основные
вес, г0.02
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-UFDFN
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device package3-X1DFN1006
base product numberDMN2005 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c440mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.5V, 4V
fet typeN-Channel
power dissipation (max)450mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id1.2V @ 100ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль