DMG3404L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMG3404L-7
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...
Основные
вес, г0.1
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
44
+
Бонус: 0.88 !
Бонусная программа
Итого: 44
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Основные
вес, г0.1
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:DMG3404
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:SOT-23-3
pd - power dissipation:1.33 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:5.8 A
qg - gate charge:13.2 nC
rds on - drain-source resistance:21 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
typical turn-off delay time:22 ns
typical turn-on delay time:3.3 ns
fall time:5.2 ns
rise time:4.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль