DMG301NU-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 0,23А, 0,4Вт, SOT23

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в...

Подробное описание

Основные
вес, г	0.1
package / case	SOT-23-3
minimum operating temperature	- 55 C
factory pack quantity	10000

Все характеристики

47 ₽

– +

Бонус: 0.94 !

Бонусная программа

Итого: 47 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.1
package / case	SOT-23-3
minimum operating temperature	- 55 C
factory pack quantity	10000
manufacturer	Diodes Incorporated
maximum operating temperature	+ 150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	DMG301
subcategory	MOSFETs
unit weight	0.000282 oz
configuration	Single
fall time	2.3 ns
rise time	1.8 ns
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	DMG301
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
package/case:	SOT-23-3
pd - power dissipation:	320 mW
technology	Si
number of channels:	1 Channel
pd - power dissipation	320 mW
technology:	Si
configuration:	Single
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	4 Ohms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	25 V
vgs - gate-source voltage	4.5 V
id - continuous drain current	260 mA
typical turn-on delay time	2.9 ns
typical turn-off delay time	6.6 ns
forward transconductance - min	1 S
qg - gate charge	360 pC
transistor type	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	700 mV
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	260 mA
qg - gate charge:	360 pC
rds on - drain-source resistance:	4 Ohms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	25 V
vgs - gate-source voltage:	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	700 mV
typical turn-off delay time:	6.6 ns
typical turn-on delay time:	2.9 ns
forward transconductance - min:	1 S
fall time:	2.3 ns
rise time:	1.8 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки