CSD19503KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 188Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CSD19503KCS
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 80V 100A (Ta) 188W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3
Основные
вес, г1.97
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 80V 100A (Ta) 188W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3
Основные
вес, г1.97
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device packageTO-220-3
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD19503 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c100A (Ta)
drain to source voltage (vdss)80V
drive voltage (max rds on, min rds on)6V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs36nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2730pF @ 40V
power dissipation (max)188W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs9.2mOhm @ 60A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3.4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль