CSD17579Q5AT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 25А, 36Вт, VSONP8, 5x6мм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CSD17579Q5AT
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 30 В, 25 А (Ta), 3,1 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), поверхностный монтаж 8-VSONP (5x6)
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 30 В, 25 А (Ta), 3,1 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), поверхностный монтаж 8-VSONP (5x6)
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device package8-VSONP (5x6)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD17579 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c25A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs15.1nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1030pF @ 15V
power dissipation (max)3.1W (Ta), 36W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs9.7mOhm @ 8A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2V @ 250ВµA
кол-во в упаковке250
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль