РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C

16 810 ₽

– +

Бонус: 336.2 !

Бонусная программа

Итого: 16 810 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	250
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	Wolfspeed / Cree
упаковка / блок	DFN-12
чувствительный к влажности	Yes
выходная мощность	6 W
диапазон рабочих температур	40 C to + 150 C
Вес и габариты
технология	GaN
усиление	16 dB
рабочая частота	18 GHz
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	950 mA
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT
vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V to 2 V

Отзывов нет

Кнопки