РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 100 C
минимальная рабочая температура	40 C

205 200 ₽

– +

Бонус: 4104 !

Бонусная программа

Итого: 205 200 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 100 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	Wolfspeed / Cree
упаковка	Tray
упаковка / блок	440117
выходная мощность	800 W
диапазон рабочих температур	40 C to + 100 C
средства разработки	CGHV14800F-TB
Вес и габариты
технология	GaN
усиление	14 dB
рабочая частота	1.2 GHz to 1.4 GHz
id - непрерывный ток утечки	24 A
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.8 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT
vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V to 2 V

Отзывов нет

Кнопки