РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C

48 160 ₽

– +

Бонус: 963.2 !

Бонусная программа

Итого: 48 160 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	Wolfspeed / Cree
упаковка	Tray
упаковка / блок	440193
выходная мощность	60 W
pd - рассеивание мощности	56 W
диапазон рабочих температур	40 C to + 150 C
Вес и габариты
технология	GaN
применение	Telecom
nf - коэффициент шумов	4 dB
усиление	14 dB
рабочая частота	2.7 GHz
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	14 A
vds - напряжение пробоя сток-исток	120 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT
vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V, 2 V

Отзывов нет

Кнопки