BSS806NEH6327XTSA1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
| Вес и габариты | |
| Высота | 1.1 мм |
| Основные | |
| base product number | BSS806 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.3A (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 2.5V |
| другие названия товара № | BSS806NE H6327 SP000999336 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 529pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 9 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 500mW (Ta) |
| qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101, HEXFETВ® -> |
| серия | BSS806 |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 12 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs(th) (max) @ id | 0.75V @ 11ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 550 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 9.9 ns |
| время спада | 3.7 ns |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
