BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS806NEH6327XTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
| Основные | |
| вес, г | 0.02 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | BSS806 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| длина | 2.9 mm |
| время нарастания | 9.9 ns |
| время спада | 3.7 ns |
| series | Automotive, AEC-Q101, HEXFETВ® -> |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| другие названия товара № | BSS806NE H6327 SP000999336 |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | BSS806 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 550 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 9 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 12 ns |
| типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.3A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 2.5V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 529pF @ 10V |
| power dissipation (max) | 500mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs(th) (max) @ id | 0.75V @ 11ВµA |
| Высота | 1.1 мм |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![40N06, Транзистор N-MOSFET 60В 40А [TO-252]](/wa-data/public/shop/products/57/08/200857/images/234503/234503.300x0.jpg "40N06, Транзистор N-MOSFET 60В 40А [TO-252]")
![2SD998, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=10Вт, hFE= 7К(тип) [TO-3PF]](/wa-data/public/shop/products/24/51/185124/images/221314/221314.300x0.jpg "2SD998, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=10Вт, hFE= 7К(тип) [TO-3PF]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
