BSS123W-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,17А, 200мВт, SOT323
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS123W-7-F
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 100 В 170 мА (Ta) 200 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323
| Основные | |
| вес, г | 0.02 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SC-70, SOT-323 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-323 |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Small Signal |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-323 |
| base product number | BSS123 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 200 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 0.95 |
| package length | 2.15 |
| package width | 1.3 |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.17 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 6000@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical fall time (ns) | 16(Max) |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 29@25V |
| typical rise time (ns) | 8(Max) |
| typical turn-off delay time (ns) | 13(Max) |
| typical turn-on delay time (ns) | 8(Max) |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 170mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| fet type | N-Channel |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 60pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 200mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 1mA |
| military | No |
| rds on - drain-source resistance | 6О© @ 170mA,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vgs - gate-source voltage | 2V @ 1mA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 170mA |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 200mW |
| кол-во в упаковке | 1 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
