BSS119NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,19А, 0,5Вт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS119NH6327XTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Основные | |
вес, г | 0.06 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Surface Mount |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
rohs status | ROHS3 Compliant |
вид монтажа | SMD/SMT |
категория продукта | МОП-транзистор |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
подкатегория | MOSFETs |
размер фабричной упаковки | 3000 |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | Infineon Technologies |
упаковка / блок | SOT-223-3 |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.21.0095 |
серия | BSS119 |
reach status | REACH Unaffected |
supplier device package | SOT-23-3 |
длина | 2.9 mm |
время нарастания | 3.3 ns |
время спада | 18.8 ns |
pin count | 3 |
packaging | Tape and Reel |
product category | Small Signal |
series | OptiMOSв„ў -> |
pd - рассеивание мощности | 500 mW |
другие названия товара № | BSS119N H6327 SP000870644 |
количество каналов | 1 Channel |
automotive | Yes |
eu rohs | Compliant |
lead shape | Gull-wing |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
mounting | Surface Mount |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
ppap | Unknown |
standard package name | SOT-23 |
supplier package | SOT-23 |
base product number | BSS119 -> |
eccn (us) | EAR99 |
maximum power dissipation (mw) | 500 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
configuration | Single |
Вес и габариты | |
технология | Si |
number of elements per chip | 1 |
конфигурация | Single |
channel type | N |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
id - непрерывный ток утечки | 190 mA |
qg - заряд затвора | 0.6 nC |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.406 Ohms |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
канальный режим | Enhancement |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 350 mS |
полярность транзистора | N-Channel |
тип транзистора | 1 N-Channel |
типичное время задержки выключения | 7 ns |
типичное время задержки при включении | 2.7 ns |
channel mode | Enhancement |
maximum continuous drain current (a) | 0.19 |
maximum drain source resistance (mohm) | 6000 10V |
maximum drain source voltage (v) | 100 |
maximum gate source leakage current (na) | 10 |
maximum gate source voltage (v) | ±20 |
maximum gate threshold voltage (v) | 2.3 |
maximum idss (ua) | 0.01 |
typical fall time (ns) | 18.8 |
typical gate charge @ 10v (nc) | 0.6 |
typical gate charge @ vgs (nc) | 0.6 10V |
typical input capacitance @ vds (pf) | 15.7 25V |
typical rise time (ns) | 3.3 |
typical turn-off delay time (ns) | 7 |
typical turn-on delay time (ns) | 2.7 |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 190mA (Ta) |
drain to source voltage (vdss) | 100V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 0.6nC @ 10V |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 20.9pF @ 25V |
power dissipation (max) | 500mW (Ta) |
rds on (max) @ id, vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
vgs (max) | В±20V |
vgs(th) (max) @ id | 2.3V @ 13ВµA |
Высота | 1.1 мм |
Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26