BSS119NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,19А, 0,5Вт, SOT23

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Подробное описание

Основные
вес, г	0.06
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

41 ₽

– +

Бонус: 0.82 !

Бонусная программа

Итого: 41 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.06
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-223-3
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
серия	BSS119
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	SOT-23-3
длина	2.9 mm
время нарастания	3.3 ns
время спада	18.8 ns
pin count	3
packaging	Tape and Reel
product category	Small Signal
series	OptiMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности	500 mW
другие названия товара №	BSS119N H6327 SP000870644
количество каналов	1 Channel
automotive	Yes
eu rohs	Compliant
lead shape	Gull-wing
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	Surface Mount
part status	Active
pcb changed	3
ppap	Unknown
standard package name	SOT-23
supplier package	SOT-23
base product number	BSS119 ->
eccn (us)	EAR99
maximum power dissipation (mw)	500
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
Вес и габариты
технология	Si
number of elements per chip	1
конфигурация	Single
channel type	N
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	190 mA
qg - заряд затвора	0.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.406 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	350 mS
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	7 ns
типичное время задержки при включении	2.7 ns
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	0.19
maximum drain source resistance (mohm)	6000 10V
maximum drain source voltage (v)	100
maximum gate source leakage current (na)	10
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum gate threshold voltage (v)	2.3
maximum idss (ua)	0.01
typical fall time (ns)	18.8
typical gate charge @ 10v (nc)	0.6
typical gate charge @ vgs (nc)	0.6 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	15.7 25V
typical rise time (ns)	3.3
typical turn-off delay time (ns)	7
typical turn-on delay time (ns)	2.7
current - continuous drain (id) @ 25в°c	190mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	100V
drive voltage (max rds on, min rds on)	4.5V, 10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	0.6nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	20.9pF @ 25V
power dissipation (max)	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	2.3V @ 13ВµA
Высота	1.1 мм
Ширина	1.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки