BSP89.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 240В, 375мА, 1,5Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP89,115
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-CH DMOS 240V 375MA
Основные
вес, г0.14
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-CH DMOS 240V 375MA
Основные
вес, г0.14
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаNexperia
упаковка / блокSOT-223-3
длина6.7 mm
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности1.5 W
другие названия товара №934018750115
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность1.5Вт
power dissipation1.5Вт
напряжение истока-стока vds240В
id - непрерывный ток утечки375 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток2.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток240 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
стиль корпуса транзистораSOT-223
непрерывный ток стока340мА
сопротивление во включенном состоянии rds(on)2.8Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance2.8Ом
кол-во в упаковке1000
Высота 1.7 мм
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль