BSP122.115, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP122,115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный MOSFET, 100 В и выше, Nexperia
| Основные | |
| вес, г | 1 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Поверхностный монтаж |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Nexperia |
| упаковка / блок | SOT-223-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-223 |
| длина | 6.7 mm |
| length | 6.7мм |
| package type | SOT-223 (SC-73) |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| width | 3.7мм |
| pin count | 4 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| другие названия товара № | BSP122 T/R |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | BSP122 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single Dual Drain |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| transistor configuration | Одинарный |
| maximum drain source voltage | 200 V |
| maximum gate source voltage | -20 В, +20 В |
| id - непрерывный ток утечки | 550 mA |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.7 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| maximum continuous drain current | 550 мА |
| transistor material | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 2V |
| maximum drain source resistance | 2.5 Ω |
| channel mode | Поднятие |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 550mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 200V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.4V, 10V |
| fet type | N-Channel |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 100pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 1.5W (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 2.5Ohm @ 750mA, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 1mA |
| minimum gate threshold voltage | 0.4V |
| rds on - drain-source resistance | 2.5О© @ 750mA,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 200V |
| vgs - gate-source voltage | 2V @ 1mA |
| maximum power dissipation | 1,5 Вт |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 550mA |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1.5W |
| Высота | 1.7 мм |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
