BSH108.215, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSH108,215
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В, Nexperia
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia |
| Основные | |
| вес, г | 0.02 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | -65 °C |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-236AB |
| длина | 3мм |
| тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| число контактов | 3 |
| размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
| series | TrenchMOSв„ў -> |
| base product number | BSH108 -> |
| Вес и габариты | |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальное рассеяние мощности | 830 мВт |
| тип канала | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| transistor configuration | Одинарный |
| типичное время задержки выключения | 15 нс |
| максимальное сопротивление сток-исток | 120 мОм |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| maximum gate threshold voltage | 2V |
| максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| типичный заряд затвора при vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| номер канала | Поднятие |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.9A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 10nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 190pF @ 10V |
| power dissipation (max) | 830mW (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 120mOhm @ 1A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 1mA |
| максимальный непрерывный ток стока | 1.9 A |
| материал транзистора | SI |
| типичное время задержки включения | 3 нс |
| minimum gate threshold voltage | 1V |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| типичная входная емкость при vds | 190 пФ при 10 В |
| rds on - drain-source resistance | 120mО© @ 1A,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30V |
| vgs - gate-source voltage | 2V @ 1mA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 1.9A(Tsp) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 830mW(Tsp) |
| Высота | 1 мм |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BC857A, биполярный PNP транзистор, -50B, -100мА, 200мВт [SOT-23]](/wa-data/public/shop/products/38/56/185638/images/221845/221845.300x0.jpg "BC857A, биполярный PNP транзистор, -50B, -100мА, 200мВт [SOT-23]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
