BSC035N04LSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 0.0029 Ом, TDSON, Surface Mount

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSC035N04LS G, SP000391503 • N-channel Optima's ™ 3 power transistor• Fast switching MOSFET for SMPS• Optimized technology for DC/DC converters• Qualified according to JEDEC for target applications• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)• Very low on-resistance RDS(on)• Superior thermal resistance• 100% avalanche tested

Подробное описание

Основные
вес, г	0.2
максимальная рабочая температура	150 C
pin count	8
packaging	Tape and Reel

Все характеристики

330 ₽

– +

Бонус: 6.6 !

Бонусная программа

Итого: 330 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSC035N04LS G, SP000391503
• N-channel Optima's ™ 3 power transistor• Fast switching MOSFET for SMPS• Optimized technology for DC/DC converters• Qualified according to JEDEC for target applications• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)• Very low on-resistance RDS(on)• Superior thermal resistance• 100% avalanche tested

Основные
вес, г	0.2
максимальная рабочая температура	150 C
pin count	8
packaging	Tape and Reel
product category	Power MOSFET
количество выводов	8вывод(-ов)
automotive	No
eu rohs	Compliant with Exemption
lead shape	no lead
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	surface mount
part status	active
pcb changed	8
ppap	No
standard package name	SON
supplier package	TDSON EP
eccn (us)	ear99
maximum power dissipation (mw)	2500
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single Quad Drain Triple Source
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов
process technology	OptiMOS
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	69Вт
power dissipation	69Вт
напряжение истока-стока vds	40В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TDSON
непрерывный ток стока	100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0029Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2В
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	21
maximum drain source resistance (mohm)	3.5 10V
maximum drain source voltage (v)	40
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum gate threshold voltage (v)	2
typical fall time (ns)	5
typical gate charge @ 10v (nc)	48
typical gate charge @ vgs (nc)	23 4.5V\|48 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	3800 20V
typical rise time (ns)	4.6
typical turn-off delay time (ns)	31
typical turn-on delay time (ns)	7.9
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0029Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки