AOTF11N60L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, 37,9Вт, TO220F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AOTF11N60L
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал, 600 В, 11 А (Tc), 37,9 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220-3F
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал, 600 В, 11 А (Tc), 37,9 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220-3F
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220-3F
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
current - continuous drain (id) @ 25в°c11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs37nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1990pF @ 25V
power dissipation (max)37.9W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs650mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль