AOT1N60, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,9А, 41,7Вт, TO220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AOT1N60
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600 В, 1,3 A (Tc) 41,7 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г2.04
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 600 В, 1,3 A (Tc) 41,7 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г2.04
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.3A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds160pF @ 25V
power dissipation (max)41.7W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs9Ohm @ 650mA, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль