AOI4286, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 10А, 30Вт, TO251A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AOI4286
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 100V 4A (Ta), 14A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) сквозное отверстие TO-251A
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 100V 4A (Ta), 14A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) сквозное отверстие TO-251A
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Stub Leads, IPak
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-251A
manufacturerAOS
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Ta), 14A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs10nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds390pF @ 50V
power dissipation (max)2.5W (Ta), 30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs68mOhm @ 5A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.9V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль