AOD1N60, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 800мА, 45Вт, TO252
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AOD1N60
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 600 В 1,3 A (Tc) 45 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-252, (D-Pak)
| Основные | |
| вес, г | 2 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -50В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-252, (D-Pak) |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | Unknown |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| ppap | Unknown |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 45000 |
| minimum operating temperature (°c) | -50 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| other related documents | http://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf |
| tab | Tab |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 1.3 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 9000 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4.5 |
| typical fall time (ns) | 11.5 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 6.1 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 6.1 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 130 25V |
| typical rise time (ns) | 6.7 |
| typical turn-off delay time (ns) | 20 |
| typical turn-on delay time (ns) | 10 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.3A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 600V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 160pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 45W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 9Ohm @ 650mA, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 250ВµA |
| operating junction temperature (°c) | -50 to 150 |
| maximum diode forward voltage (v) | 1 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 30 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
