AO6404, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,8А, 1,28Вт, TSOP6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AO6404
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 20V 8,6A (Ta) 2W (Ta) Поверхностный монтаж 6-TSOP
Основные
вес, г0.1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 20V 8,6A (Ta) 2W (Ta) Поверхностный монтаж 6-TSOP
Основные
вес, г0.1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74, SOT-457
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device package6-TSOP
pin count6
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveUnknown
eu rohscompliant
maximum operating temperature (°c)150
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed6
ppapUnknown
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
eccn (us)ear99
maximum power dissipation (mw)2000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)8.6
maximum drain source resistance (mohm)17 10V
maximum drain source voltage (v)20
maximum gate source voltage (v)±12
typical fall time (ns)10.8
typical gate charge @ vgs (nc)17.9 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)1810 10V
typical rise time (ns)7.2
typical turn-off delay time (ns)49
typical turn-on delay time (ns)2.5
current - continuous drain (id) @ 25в°c8.6A (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.8V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs17.9nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1810pF @ 10V
power dissipation (max)2W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs17mOhm @ 8.5A, 10V
vgs (max)В±12V
vgs(th) (max) @ id1V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль