AO3421E, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -2А, 900мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AO3421E
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMDP-канал 30V 3A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3L
Основные
вес, г0.07
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMDP-канал 30V 3A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3L
Основные
вес, г0.07
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-23-3L
pin count3
product categoryPower MOSFET
automotiveUnknown
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed3
ppapUnknown
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1400
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeP
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)3
maximum drain source resistance (mohm)95 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source leakage current (na)10000
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)2.5
maximum idss (ua)1
typical fall time (ns)4
typical gate charge @ 10v (nc)4.6
typical gate charge @ vgs (nc)2.2 4.5V|4.6 10V
typical input capacitance @ vds (pf)215 15V
typical rise time (ns)4
typical turn-off delay time (ns)13.5
typical turn-on delay time (ns)8
current - continuous drain (id) @ 25в°c3A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds215pF @ 15V
power dissipation (max)1.4W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs95mOhm @ 3A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль