РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER

Подробное описание

Основные
вес, г	0.07
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER

Основные
вес, г	0.07
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	Transistors
продукт	RF JFET
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка / блок	SOT-23-3
серия	2SK3557
pd - рассеивание мощности	200 mW
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	50 mA
vds - напряжение пробоя сток-исток	15 V
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	35 mS
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	JFET
vds - напряжение пробоя затвор-исток	15 V
напряжение отсечки затвор-исток	0.7 V
максимальное напряжение сток-затвор	15 V
Тип	JFET

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

2SK3557-6-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 20 мА, -1.5 В, SOT-23, JFET