2SK3557-6-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 20 мА, -1.5 В, SOT-23, JFET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SK3557-6-TB-E
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Основные
вес, г0.07
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура+ 150 C
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Основные
вес, г0.07
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияTransistors
продуктRF JFET
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаRF JFET Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
серия2SK3557
pd - рассеивание мощности200 mW
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки50 mA
vds - напряжение пробоя сток-исток15 V
крутизна характеристики прямой передачи - мин.35 mS
полярность транзистораN-Channel
тип транзистораJFET
vds - напряжение пробоя затвор-исток15 V
напряжение отсечки затвор-исток0.7 V
максимальное напряжение сток-затвор15 V
ТипJFET
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль