Name: 2N7002KW, Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A [SOT-323]
SKU: 2N7002KW

2N7002KW, Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A [SOT-323]

2N7002KW, Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A [SOT-323]

Подробное описание

Вес и габариты
вес, г	0.05
Основные
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C

Все характеристики

96 ₽

– +

Бонус: 1.92 !

Бонусная программа

Итого: 96 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью размещения разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения. MOSFET-транзисторы, Fairchild Semiconductor

Вес и габариты
вес, г	0.05
Основные
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
напряжение истока-стока vds	60В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	310мА
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.1В
рассеиваемая мощность	300мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	1.6Ом
стиль корпуса транзистора	SOT-323
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1 - Безлимитный

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки