ZXMN6A08KTC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-Channel МОП-транзистор 20V VGS 24.3A IDM
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки7.9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-Channel МОП-транзистор 20V VGS 24.3A IDM
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки7.9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.6 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности4.13 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора5.8 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
серияZXMN6
технологияSi
типичное время задержки при включении2.6 ns
типичное время задержки выключения12.3 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.34
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.1 ns
время спада4.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль