Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Dl 30V N-Chnl UMOS

Подробное описание

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	5 mm
Высота	1.5 мм
id - непрерывный ток утечки	6.2 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2.1 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
размер фабричной упаковки	500
rds вкл - сопротивление сток-исток	35 mOhms
серия	ZXMN3
технология	Si
типичное время задержки при включении	3 ns
типичное время задержки выключения	21.6 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	2 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
Тип	MOSFET
упаковка / блок	SO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
вес, г	0.074
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	6.4 ns
время спада	9.4 ns
Ширина	4 мм

Отзывов нет

Кнопки

ZXMN3A06DN8TA