ZXMN3A01ZTA, Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXMN3A01ZTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single Dual Drain |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.2A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 5nC @ 10V |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 186pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 3.5 S |
| lead shape | Flat |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 3.3 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 120 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 1(Min) |
| maximum idss (ua) | 0.5 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2120 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-243AA |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 970 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 970mW (Ta) |
| ppap | No |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 5 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | ZXMN3A |
| standard package name | SOT |
| supplier device package | SOT-89 |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 2.6 ns |
| типичное время задержки выключения | 13.5 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| typical fall time (ns) | 3.6 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 5 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 5 10V|2.6 4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 186 25V |
| typical rise time (ns) | 4.1 |
| typical turn-off delay time (ns) | 13.5 |
| typical turn-on delay time (ns) | 2.6 |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 4.1 ns |
| время спада | 3.6 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26