ZXMC3F31DN8TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V S08 Dual МОП-транзистор 20V VBR 4.5V Gate
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c6.8A, 4.9A
drain to source voltage (vdss)30V
eccnEAR99
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V S08 Dual МОП-транзистор 20V VBR 4.5V Gate
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c6.8A, 4.9A
drain to source voltage (vdss)30V
eccnEAR99
fet featureLogic Level Gate, 4.5V Drive
fet typeN and P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs12.9nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки7.3 A, 5.3 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds608pF @ 15V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16.5 S, 14 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
power - max1.8W
qg - заряд затвора12.9 nC, 12.7 nC
размер фабричной упаковки500
rds on (max) @ id, vgs24mOhm @ 7A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms, 80 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXMC3
supplier device package8-SO
технологияSi
типичное время задержки при включении2.9 ns, 1.9 ns
типичное время задержки выключения16 ns, 30 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.074
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id3V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.3 ns, 3 ns
время спада8 ns, 21 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль