ZVP4525ZTA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 250 В 205 мА (Ta) 1,2 Вт (Ta) поверхностный монтаж SOT-89-3
| Вес и габариты | |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 205mA |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 205mA (Ta) |
| длина | 4.6 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 250V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 3.5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 3.45nC @ 10V |
| Высота | 1.6 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 205 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 73pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single Dual Drain |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-243AA |
| pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 1.2W (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1.2W |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on - drain-source resistance | 14О© @ 200mA,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 14Ohm @ 200mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | ZVP4525 |
| supplier device package | SOT-89-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 1.53 ns |
| типичное время задержки выключения | 17.5 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | P Channel |
| Тип | FET |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 250V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 285 V |
| vgs - gate-source voltage | 2V @ 1mA |
| vgs (max) | В±40V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 40 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 1mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.78 ns |
| время спада | 3.78 ns |
| Ширина | 2.6 мм |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
