ZVP3306FTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 60 В 90 мА (Ta) 330 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
DiodesZetex
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c90mA (Ta)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 60 В 90 мА (Ta) 330 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c90mA (Ta)
длина3.05
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeP-Channel
Высота 1 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки90 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds50pF @ 18V
канальный режимEnhancement
категорияМалый сигнал
категория продуктаМОП-транзистор
количество элементов на ис1
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 mS
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток60 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности330 мВт
максимальное сопротивление сток-исток14 Ω
максимальный непрерывный ток стока90 мА
manufacturerVBsemi Elec
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage3.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingTape & Reel (TR)
pd - рассеивание мощности330 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation (max)330mW (Ta)
продуктMOSFET Small Signal
размеры3.05 x 1.4 x 1мм
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs14Ohm @ 200mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток14 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZVP3306
supplier device packageSOT-23-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичная входная емкость при vds50 пФ при 18 В
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки включения8 нс
типичное время задержки выключения8 нс
тип каналаA, P
тип корпусаSOT-23
тип монтажаSurface Mount
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationОдинарный
ТипFET
упаковка / блокSOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id3.5V @ 1mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада8 ns
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль