ZVP3306A, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 160 мА, 14 Ом, E-Line, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZVP3306A
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
| Основные | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Вес и габариты | |
| число контактов | 3 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 160mA (Ta) |
| длина | 4.77мм |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| Высота | 4.01 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 50pF @ 18V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Малый сигнал |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 60 mS |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
| максимальное сопротивление сток-исток | 14 Ω |
| максимальный непрерывный ток стока | 160 мА |
| материал транзистора | SI |
| maximum gate threshold voltage | 3.5V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 625mW (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размеры | 4.77 x 2.41 x 4.01мм |
| размер фабричной упаковки | 4000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 14Ohm @ 200mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | ZVP3306 |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 50 пФ при 18 В |
| типичное время задержки при включении | 8 ns |
| типичное время задержки включения | 8 нс |
| типичное время задержки выключения | 8 нс |
| тип канала | P |
| тип корпуса | E-Line |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Одинарный |
| Тип | FET |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| вес, г | 0.165 |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 8 ns |
| время спада | 8 ns |
| Ширина | 2.41 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26