MOSFETs МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Основные
Производитель
DiodesZetex
Вес и габариты
число контактов
3+Tab
длина
6.7мм
Высота
1.65 мм
категория
Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+150 °C
максимальное напряжение сток-исток
60 В
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности
200 mW
максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
максимальный непрерывный ток стока
450 мА
материал транзистора
Кремний
maximum gate threshold voltage
3.5V
минимальная рабочая температура
-55 °C
номер канала
Поднятие
размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
типичная входная емкость при vds
100 пФ при 18 В
типичное время задержки включения
7 ns
типичное время задержки выключения
12 ns
тип канала
A, P
тип корпуса
SOT-223
тип монтажа
Surface Mount
transistor configuration
Одинарный
вес, г
2
Ширина
3.7 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26