WPM1481-6/TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c4.3A
power dissipation-max (ta=25°c)1.4W
rds on - drain-source resistance28mΩ 5.5A, 4.5V
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c4.3A
power dissipation-max (ta=25°c)1.4W
rds on - drain-source resistance28mΩ 5.5A, 4.5V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage12V
vgs - gate-source voltage900mV 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль