VP2206N3-G-P003

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5.21 mm
Высота 5.33 мм
id - непрерывный ток утечки640 mA
660
+
Бонус: 13.2 !
Бонусная программа
Итого: 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5.21 mm
Высота 5.33 мм
id - непрерывный ток утечки640 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки2000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении4 ns
типичное время задержки выключения16 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.4536
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания16 ns
время спада22 ns
Ширина4.19 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль