VP2110K1-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 120 мА, 9 Ом, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VP2110K1-G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V 12Ohm
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина2.9 mm
drain source on state resistance9Ом
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V 12Ohm
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина2.9 mm
drain source on state resistance9Ом
Высота 0.95 мм
id - непрерывный ток утечки120 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.150 mS
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока120мА
pd - рассеивание мощности360 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs3.5В
power dissipation360мВт
продуктMOSFET Small Signal
рассеиваемая мощность360мВт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток12 Ohms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)9Ом
стиль корпуса транзистораSOT-23
технологияSi
типичное время задержки при включении4 ns
типичное время задержки выключения5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
ТипFET
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада4 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль