VP2110K1-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 120 мА, 9 Ом, SOT-23, Surface Mount (VP2110K1-G) — купить | ООО «Телеметрия» 
Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY

+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

VP2110K1-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 120 мА, 9 Ом, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VP2110K1-G
VP2110K1-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 120 мА, 9 Ом, SOT-23, Surface MountVP2110K1-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 100 В, 120 мА, 9 Ом, SOT-23, Surface Mount
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V 12Ohm
Подробное описание
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина2.9 mm
drain source on state resistance9Ом
Все характеристики
180 ₽
- +
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180 ₽
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V 12Ohm
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина2.9 mm
drain source on state resistance9Ом
Высота 0.95 мм
id - непрерывный ток утечки120 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.150 mS
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока120мА
pd - рассеивание мощности360 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs3.5В
power dissipation360мВт
продуктMOSFET Small Signal
рассеиваемая мощность360мВт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток12 Ohms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)9Ом
стиль корпуса транзистораSOT-23
технологияSi
типичное время задержки при включении4 ns
типичное время задержки выключения5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
ТипFET
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада4 ns
Ширина1.3 мм
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
  • Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
    Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
    ИНН 7536172565
    КПП 381201001
    ОГРН 1187536004215
    Расчетный счет 40702810010000426573
    Банк АО «Тинькофф Банк»
    БИК банка 044525974
    ИНН банка 7710140679
    Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
    Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

    • Кнопки
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
0Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0Избранное
Товар добавлен в список избранных
Профиль