VP2106N3-G, P-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 VP2106N3-G

Полевые МОП-транзисторы Supertex с P-каналом Линейка полевых DMOS-транзисторов Supertex с P-канальным режимом (нормально выключенных) от Microchip подходит для широкого диапазона коммутационных и усилительных приложений, требующих низкое пороговое напряжение, высокое напряжение пробоя, высокое входное сопротивление, низкая входная емкость и высокая скорость переключения.

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	VP2106 ->
channel type	P
число контактов	3

Все характеристики

87 ₽

– +

Бонус: 1.74 !

Бонусная программа

Итого: 87 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
base product number	VP2106 ->
channel type	P
число контактов	3
current - continuous drain (id) @ 25в°c	250mA (Tj)
длина	5.21 mm
drain to source voltage (vdss)	60V
drive voltage (max rds on, min rds on)	5V, 10V
eccn	EAR99
fet type	P-Channel
forward diode voltage	2V
Высота	5.33 мм
htsus	8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки	250 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds	60pF @ 25V
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	150 mmho
length	5.08mm
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	60 В
максимальное пороговое напряжение включения	3.5V
максимальный непрерывный ток стока	250 mA
материал транзистора	Кремний
maximum drain source resistance	15 Ω
maximum gate source voltage	-20 В, +20 В
maximum power dissipation	1 Вт
минимальная рабочая температура	55 C
minimum operating temperature	-55 °C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Монтаж на плату в отверстия
номер канала	Поднятие
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
package type	TO-92
pcn packaging	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	P-Channel
power dissipation (max)	1W (Tc)
продукт	MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки	1000
rds on (max) @ id, vgs	12Ohm @ 500mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток	15 Ohms
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TO-92-3
technology	MOSFET (Metal Oxide)
технология	Si
типичное время задержки при включении	4 ns
типичное время задержки выключения	5 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 P-Channel
торговая марка	Microchip Technology
transistor configuration	Одинарный
Тип	FET
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs (max)	В±20V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id	3.5V @ 1mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	5 ns
время спада	4 ns
Ширина	4.06 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

VP2106N3-G, P-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 VP2106N3-G